EPC2015

TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
EPC2015 P1
EPC2015 P1
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EPC ~ EPC2015

品番
EPC2015
メーカー
EPC
説明
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 EPC2015
部品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 33A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 9mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11.6nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1200pF @ 20V
Vgs(最大) +6V, -5V
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4 mOhm @ 33A, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die Outline (11-Solder Bar)
パッケージ/ケース Die

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