DMTH6004LPSQ-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
DMTH6004LPSQ-13 P1
DMTH6004LPSQ-13 P2
DMTH6004LPSQ-13 P1
DMTH6004LPSQ-13 P2
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Diodes Incorporated ~ DMTH6004LPSQ-13

品番
DMTH6004LPSQ-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMTH6004LPSQ-13 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 DMTH6004LPSQ-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 47.4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4515pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.1 mOhm @ 25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI5060-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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