DMJ70H601SK3-13

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
DMJ70H601SK3-13 P1
DMJ70H601SK3-13 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ DMJ70H601SK3-13

品番
DMJ70H601SK3-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMJ70H601SK3-13 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 DMJ70H601SK3-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 700V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 20.9nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 686pF @ 50V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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