DGD2101MS8-13

IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
DGD2101MS8-13 P1
DGD2101MS8-13 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ DGD2101MS8-13

品番
DGD2101MS8-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DGD2101MS8-13 PDF online browsing
家族
PMIC - ゲートドライバ
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製品パラメータ

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品番 DGD2101MS8-13
部品ステータス Active
駆動構成 Half-Bridge
チャネルタイプ Independent
ドライバ数 2
ゲートタイプ IGBT, N-Channel MOSFET
電圧 - 供給 10V ~ 20V
ロジック電圧 - VIL、VIH 0.8V, 2.5V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 290mA, 600mA
入力方式 Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 600V
立ち上がり/立ち下がり時間(Typ) 70ns, 35ns
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO

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