BYV32E-100,127

DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB
BYV32E-100,127 P1
BYV32E-100,127 P2
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WeEn Semiconductors ~ BYV32E-100,127

Numero di parte
BYV32E-100,127
fabbricante
WeEn Semiconductors
Descrizione
DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Array
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Numero di parte BYV32E-100,127
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 20A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 100V
Temperatura operativa - Giunzione 150°C (Max)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB

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