SUP70101EL-GE3

MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
SUP70101EL-GE3 P1
SUP70101EL-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SUP70101EL-GE3

Numero di parte
SUP70101EL-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte SUP70101EL-GE3
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3

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