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| Numero di parte | SQJ958EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 30V |
| Potenza - Max | 35W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK | - | 0 | Dettagli |
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SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
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SQJ956EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | - | 136920 | Dettagli |
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SQJ958EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | - | 136920 | Dettagli |