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| Numero di parte | SIS447DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 181nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5590pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIS443DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | - | 12000 | Dettagli |
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SIS444DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212 | - | 169158 | Dettagli |
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SIS447DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212 | - | 164642 | Dettagli |
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SIS448DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | - | 0 | Dettagli |