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| Numero di parte | SIHP35N60EF-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2568pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SIHP30N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB | - | 9628 | Dettagli |
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SIHP30N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | - | 0 | Dettagli |
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SIHP30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | - | 1000 | Dettagli |
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SIHP33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB | - | 1396 | Dettagli |
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SIHP33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3 | - | 612 | Dettagli |
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SIHP35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB | - | 1000 | Dettagli |
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SIHP35N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH TO-220AB | - | 18906 | Dettagli |
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SIHP38N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB | - | 900 | Dettagli |