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| Numero di parte | SIHP10N40D-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 526pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SIHP100N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 600V TO-220AB | - | 11931 | Dettagli |
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SIHP10N40D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB | - | 859 | Dettagli |
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SIHP10N40D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB | - | 0 | Dettagli |
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SIHP11N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB | - | 30 | Dettagli |
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SIHP120N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 600V TO-220AB | - | 11554 | Dettagli |
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SIHP12N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB | - | 820 | Dettagli |
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SIHP12N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB | - | 1008 | Dettagli |
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SIHP12N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | - | 0 | Dettagli |
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SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | - | 997 | Dettagli |
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SIHP12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB | - | 25 | Dettagli |
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SIHP14N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB | - | 0 | Dettagli |
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SIHP14N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB | - | 0 | Dettagli |