Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | SIHD180N60E-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHD12N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 500V DPAK | - | 5250 | Dettagli |
 |
SIHD14N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 13A D-PAK | - | 2965 | Dettagli |
|
SIHD180N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 600V DPAK TO-25 | - | 20710 | Dettagli |
|
SIHD1K4N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DPAK TO-252 | - | 49894 | Dettagli |