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| Numero di parte | SI8817DB-T2-E1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76 mOhm @ 1A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Microfoot |
| Pacchetto / caso | 4-XFBGA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI8810EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | - | 0 | Dettagli |
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SI8812DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | - | 3000 | Dettagli |
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SI8816EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT | - | 0 | Dettagli |
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SI8817DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | - | 0 | Dettagli |
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SI8819EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT | - | 510346 | Dettagli |