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| Numero di parte | SI2316DS-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2310-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | - | 0 | Dettagli |
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SI2311DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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SI2311DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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SI2312-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | - | 0 | Dettagli |
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SI2312BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | - | 9000 | Dettagli |
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SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | - | 39000 | Dettagli |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 | - | 0 | Dettagli |
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SI2314EDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | - | 12000 | Dettagli |
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SI2314EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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SI2315BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | - | 99000 | Dettagli |
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SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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SI2316BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23 | - | 3000 | Dettagli |