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TT Electronics/Optek Technology ~ JAN4N23U

Numero di parte	JAN4N23U
Stato parte	Obsolete
Numero di canali	1
Tensione - Isolamento	1000VDC
Rapporto di trasferimento corrente (min)	60% @ 10mA
Rapporto di trasferimento corrente (massimo)	-
Attiva / Disattiva ora (Tipo)	-
Rise / Fall Time (Typ)	15µs, 15µs (Max)
Tipo di input	DC
Tipo di uscita	Transistor with Base
Tensione - Uscita (max)	35V
Corrente - Uscita / Canale	6mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ)	1.3V (Max)
Corrente - DC Forward (If) (Max)	50mA
Vce Saturation (Max)	300mV
temperatura di esercizio	-55°C ~ 125°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-LCC
Pacchetto dispositivo fornitore	6-LCC (4.32x6.22)

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
JAN1N1184	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB	-	0	Dettagli
JAN1N1186	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB	-	0	Dettagli
JAN1N1186R	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB	-	0	Dettagli
JAN1N1188	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 400V 35A DO5	-	1	Dettagli
JAN1N1188R	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB	-	0	Dettagli
JAN1N1190	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB	-	0	Dettagli
JAN1N1190R	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB	-	0	Dettagli
JAN1N1202A	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA	-	0	Dettagli
JAN1N1202AR	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA	-	0	Dettagli
JAN1N1204A	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA	-	0	Dettagli
JAN1N1204AR	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA	-	0	Dettagli
JAN1N1206A	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA	-	0	Dettagli