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| Numero di parte | SSM3K15ACTC,L3F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13.5pF @ 3V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 10mA, 4V |
| temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | CST3C |
| Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM3K123TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM | - | 33000 | Dettagli |
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SSM3K15ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 | - | 0 | Dettagli |
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SSM3K15ACT,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 | - | 0 | Dettagli |
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SSM3K15ACTC,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C | - | 10000 | Dettagli |
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SSM3K15AFS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM | - | 0 | Dettagli |
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SSM3K15AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM | - | 0 | Dettagli |
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SSM3K15CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 | - | 0 | Dettagli |