MT3S20P(TE12L,F)

TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
MT3S20P(TE12L,F) P1
MT3S20P(TE12L,F) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ MT3S20P(TE12L,F)

Numero di parte
MT3S20P(TE12L,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
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Numero di parte MT3S20P(TE12L,F)
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 7GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Guadagno 16.5dB
Potenza - Max 1.8W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitore PW-MINI

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