MT3S16U(TE85L,F)

TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
MT3S16U(TE85L,F) P1
MT3S16U(TE85L,F) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ MT3S16U(TE85L,F)

Numero di parte
MT3S16U(TE85L,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
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Numero di parte MT3S16U(TE85L,F)
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V
Frequenza - Transizione 4GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 2.4dB @ 1GHz
Guadagno 4.5dBi
Potenza - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 1V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60mA
temperatura di esercizio 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore USM

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