STGB30H60DFB

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
STGB30H60DFB P1
STGB30H60DFB P1
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STMicroelectronics ~ STGB30H60DFB

Numero di parte
STGB30H60DFB
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte STGB30H60DFB
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Potenza - Max 260W
Cambiare energia 383µJ (on), 293µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 149nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 37ns/146ns
Condizione di test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 53ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK

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