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| Numero di parte | RJM0603JSC-00#12 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| Potenza - Max | 54W |
| temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 20-HSOP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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RJM0603JSC-00#12 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | 0 | Dettagli | |
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RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | - | 0 | Dettagli |