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| Numero di parte | RJM0306JSP-01#J0 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.2W |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RJM0306JSP-01#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP | - | 0 | Dettagli |