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| Numero di parte | NSVBAS21TMR6T1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 3 Independent |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-74 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NSVBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | - | 40000 | Dettagli |
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NSVBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | - | 0 | Dettagli |
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NSVBAS116LT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | - | 200000 | Dettagli |
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NSVBAS16TT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75 | - | 0 | Dettagli |
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NSVBAS16WT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70 | - | 180000 | Dettagli |
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NSVBAS19LT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 | - | 384000 | Dettagli |
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NSVBAS20LT3G | ON Semiconductor | DIODE GP 200V 200MA SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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NSVBAS21AHT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | - | 27000 | Dettagli |
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NSVBAS21HT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | - | 0 | Dettagli |
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NSVBAS21HT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | - | 0 | Dettagli |
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NSVBAS21M3T5G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723 | - | 104000 | Dettagli |
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NSVBAS21SLT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23 | - | 60000 | Dettagli |