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| Numero di parte | 2SK545-11D-TB-E |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 60µA @ 10V |
| Scarico corrente (Id) - max | 1mA |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1.5V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.7pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 125mW |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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2SK545-11D-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 1MA 125MW CP | - | 1230000 | Dettagli |