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Nexperia USA Inc. ~ PDTC114YTVL

Numero di parte	PDTC114YTVL
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	-
Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	1µA
Frequenza - Transizione	230MHz
Potenza - Max	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
PDTC114EE,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75		0	Dettagli
PDTC114EK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3		0	Dettagli
PDTC114EK,135	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3		0	Dettagli
PDTC114EM,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883		0	Dettagli
PDTC114EMB,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN		0	Dettagli
PDTC114EQAZ	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 3DFN		0	Dettagli
PDTC114ES,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3		0	Dettagli
PDTC114ET,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB		51000	Dettagli
PDTC114ET,235	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB		10000	Dettagli
PDTC114ET/DG/B2,21	Nexperia USA Inc.	TRANS RET TO-236AB	-	26333	Dettagli
PDTC114EU,115	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323		27000	Dettagli
PDTC114EU,135	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323		0	Dettagli