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| Numero di parte | JANSF2N2222AUA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Potenza - Max | 650mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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JANSF2N2221AUB | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 586 | Dettagli |
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JANSF2N2222A | Microsemi Corporation | SMALL-SIGNAL BJT | - | 830 | Dettagli |
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JANSF2N2222AL | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 829 | Dettagli |
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JANSF2N2222AUA | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 540 | Dettagli |
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JANSF2N2484 | Microsemi Corporation | SMALL-SIGNAL BJT | - | 464 | Dettagli |
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JANSF2N7383 | Microsemi Corporation | P CHANNEL MOSFET TO-257 | - | 6806 | Dettagli |