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Infineon Technologies ~ PTFA181001GL V1 R250

Numero di parte: PTFA181001GL V1 R250
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
Scheda dati: PTFA181001GL V1 R250.pdf PTFA181001GL V1 R250 PDF online browsing
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - RF

Numero di parte	PTFA181001GL V1 R250
Stato parte	Obsolete
Transistor Type	LDMOS
Frequenza	1.88GHz
Guadagno	16.5dB
Voltaggio - Test	28V
Valutazione attuale	1µA
Figura di rumore	-
Corrente - Test	750mA
Potenza - Uscita	100W
Tensione - Rated	65V
Pacchetto / caso	2-Flatpack, Fin Leads
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-63248-2

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PTFA181001E V4 T500	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS	Dettagli
PTFA181001EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2	Dettagli
PTFA181001EV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2	Dettagli
PTFA181001FV4R250FTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2	Dettagli
PTFA181001FV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2	Dettagli
PTFA181001GL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2	Dettagli
PTFA181001GL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2	Dettagli
PTFA181001HL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2	Dettagli
PTFA181001HL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2	Dettagli