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| Numero di parte | IRF6894MTRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 160A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4160pF @ 13V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 33A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
| Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MX |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRF6802SDTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 16A SA | 0 | Dettagli | |
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IRF6802SDTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 16A SA | 0 | Dettagli | |
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IRF6810STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 16A S1 | 0 | Dettagli | |
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IRF6810STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 16A S1 | 4800 | Dettagli | |
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IRF6811STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET | 0 | Dettagli | |
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IRF6811STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET | 0 | Dettagli | |
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IRF6892STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 28A S3 | 0 | Dettagli | |
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IRF6892STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 28A S3 | 0 | Dettagli | |
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IRF6893MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 29A MX | 0 | Dettagli | |
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IRF6893MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 29A MX | 0 | Dettagli | |
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IRF6894MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET | 0 | Dettagli | |
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IRF6894MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET | 0 | Dettagli |