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| Numero di parte | IPD50N03S4L06ATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2330pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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IPD50N04S3-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | - | 0 | Dettagli |
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IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | - | 0 | Dettagli |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | - | 0 | Dettagli |
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IPD50N06S214ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD50N06S214ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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IPD50N06S2L13ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |