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| Numero di parte | IPB034N06L3GATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPB034N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | 0 | Dettagli | |
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IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | - | 82090 | Dettagli |
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IPB034N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | - | 2000 | Dettagli |
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IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | - | 80568 | Dettagli |
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IPB034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 | 0 | Dettagli |