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| Numero di parte | IPA95R450P7XKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 360µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1053pF @ 400V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPA95R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 6A TO252 | - | 35600 | Dettagli |
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IPA95R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 14A TO252 | - | 19543 | Dettagli |
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IPA95R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 9A TO252 | - | 27102 | Dettagli |