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| Numero di parte | IPA65R280E6XKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPA65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPA65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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