IPA60R360P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 9A TO220
IPA60R360P7XKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPA60R360P7XKSA1

Numero di parte
IPA60R360P7XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IPA60R360P7XKSA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 555pF @ 400V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220 Full Pack
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack

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