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| Numero di parte | IPA60R190P6XKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 630µ |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 34W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPA60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP | 0 | Dettagli | |
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IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Dettagli |
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IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Dettagli |
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IPA60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP | - | 9096 | Dettagli |
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IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 | 24 | Dettagli | |
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IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Dettagli |
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IPA60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3 | 0 | Dettagli | |
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IPA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Dettagli |
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