DDB6U215N16LHOSA1

DIODE MODULE GP 1600V
DDB6U215N16LHOSA1 P1
DDB6U215N16LHOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ DDB6U215N16LHOSA1

Numero di parte
DDB6U215N16LHOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
DIODE MODULE GP 1600V
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Array
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Numero di parte DDB6U215N16LHOSA1
Stato parte Active
Configurazione diodi 3 Independent
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.61V @ 300A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 10mA @ 1600V
Temperatura operativa - Giunzione -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module

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