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| Numero di parte | BSZ086P03NS3GATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4785pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BSZ086P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 0 | Dettagli |
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BSZ086P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 5000 | Dettagli |
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BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 197109 | Dettagli |
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BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 208708 | Dettagli |