BSP372 E6327

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
BSP372 E6327 P1
BSP372 E6327 P1
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Infineon Technologies ~ BSP372 E6327

Numero di parte
BSP372 E6327
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte BSP372 E6327
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Vgs (massimo) ±14V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310 mOhm @ 1.7A, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223-4
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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