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| Numero di parte | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 74W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BSC014N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | - | 0 | Dettagli |
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BSC014N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | - | 96027 | Dettagli |
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BSC014N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | - | 5000 | Dettagli |
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BSC014N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | - | 96027 | Dettagli |
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BSC014N04LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 | - | 0 | Dettagli |
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BSC014N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 | - | 69199 | Dettagli |
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BSC014N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | - | 0 | Dettagli |
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BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 54234 | Dettagli |
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BSC014N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 | - | 20000 | Dettagli |
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BSC014N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 39240 | Dettagli |
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BSC014NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 | - | 20000 | Dettagli |
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BSC014NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 | - | 96588 | Dettagli |