BCR553E6327HTSA1

TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
BCR553E6327HTSA1 P1
BCR553E6327HTSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BCR553E6327HTSA1

Numero di parte
BCR553E6327HTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- BCR553E6327HTSA1 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
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Numero di parte BCR553E6327HTSA1
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 2.2k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 150MHz
Potenza - Max 330mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3

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