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Infineon Technologies ~ BAS21E6327HTSA1

Numero di parte	BAS21E6327HTSA1
Stato parte	Last Time Buy
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Corrente - Rettificato medio (Io)	250mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 200mA
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	100nA @ 200V
Capacità @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT23-3
Temperatura operativa - Giunzione	150°C (Max)

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
BAS21	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23	-	72000	Dettagli
BAS21 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23	-	1742332	Dettagli
BAS21,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23		21000	Dettagli
BAS21,235	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23		0	Dettagli
BAS21-7	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23	-	0	Dettagli
BAS21-7-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23	-	45000	Dettagli
BAS21-E3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23	-	21000	Dettagli
BAS21-E3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23	-	0	Dettagli
BAS21-G3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23	-	0	Dettagli
BAS21-G3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23	-	0	Dettagli
BAS21-HE3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23	-	0	Dettagli
BAS21-HE3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23	-	0	Dettagli