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| Numero di parte | 1EDN8511BXUSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione guidata | Half-Bridge, Low-Side |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Gate Type | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Fornitura | 8V ~ 20V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 1.2V, 1.9V |
| Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello) | 4A, 8A |
| Tipo di input | Inverting, Non-Inverting |
| Tensione lato alto - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 6.5ns, 4.5ns |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT23-6-2 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1EDN8511BXTSA1 | Infineon Technologies | DRIVER IC | - | 0 | Dettagli |
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1EDN8511BXUSA1 | Infineon Technologies | DRIVER IC | - | 127678 | Dettagli |
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1EDN8550BXTSA1 | Infineon Technologies | DRIVER IC | - | 98378 | Dettagli |