EPC2038

TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
EPC2038 P1
EPC2038 P1
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EPC ~ EPC2038

Numero di parte
EPC2038
fabbricante
EPC
Descrizione
TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte EPC2038
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.044nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8.4pF @ 50V
Vgs (massimo) +6V, -4V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 50mA, 5V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die

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