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| Numero di parte | ZXM62P02E6TA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-6 |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | - | 102000 | Dettagli |
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ZXM61N02FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | - | 20000 | Dettagli |
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ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | - | 15000 | Dettagli |
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ZXM61N03FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 | - | 114000 | Dettagli |
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ZXM61P02FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | - | 22284 | Dettagli |
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ZXM61P03FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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ZXM62N03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | 0 | Dettagli | |
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ZXM62N03GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 | - | 1000 | Dettagli |
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ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 | - | 9000 | Dettagli |
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ZXM62P03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 | - | 48000 | Dettagli |