DMTH4004SK3-13

MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
DMTH4004SK3-13 P1
DMTH4004SK3-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMTH4004SK3-13

Numero di parte
DMTH4004SK3-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMTH4004SK3-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4305pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 90A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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