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Diodes Incorporated ~ DMTH3004LPS-13

Numero di parte	DMTH3004LPS-13
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 145A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2370pF @ 15V
Vgs (massimo)	+20V, -16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.2W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI5060-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
DMTH3002LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 100A POWERDI	-	0	Dettagli
DMTH3004LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333	-	370938	Dettagli
DMTH3004LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333	-	370938	Dettagli
DMTH3004LFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333	-	212575	Dettagli
DMTH3004LFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333	-	212575	Dettagli
DMTH3004LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 21A TO252	-	7500	Dettagli
DMTH3004LK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 21A TO252	-	0	Dettagli
DMTH3004LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 22A POWERDI	-	0	Dettagli
DMTH3004LPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 22A POWERDI	-	0	Dettagli
DMTH32M5LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI506	-	141022	Dettagli
DMTH32M5LPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI506	-	110351	Dettagli