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Diodes Incorporated ~ DMN5L06K-7

Numero di parte	DMN5L06K-7
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50mA, 5V
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
DMN5010VAK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563	-	0	Dettagli
DMN5040LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V SO-8 TR 2	-	352778	Dettagli
DMN53D0L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23	-	0	Dettagli
DMN53D0L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23	-	12000	Dettagli
DMN53D0LDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363	-	0	Dettagli
DMN53D0LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363	-	0	Dettagli
DMN53D0LQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 50V 500MA SOT23	-	0	Dettagli
DMN53D0LQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23	-	3000	Dettagli
DMN53D0LW-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V SOT323	-	0	Dettagli
DMN53D0LW-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323	-	0	Dettagli
DMN53D0U-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23	-	80000	Dettagli
DMN53D0U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23	-	0	Dettagli