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| Numero di parte | DMN2005LPK-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 440mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 450mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Pacchetto / caso | 3-UFDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 | - | 168600 | Dettagli |
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DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 | - | 3000 | Dettagli |
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DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 | - | 0 | Dettagli |
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DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 | - | 24000 | Dettagli |
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DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | - | 0 | Dettagli |
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DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563 | - | 3000 | Dettagli |
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DMN2004WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 | - | 15000 | Dettagli |
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DMN2004WKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 | - | 225000 | Dettagli |
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DMN2005DLP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN | - | 12000 | Dettagli |
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DMN2005K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 | - | 156000 | Dettagli |
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DMN2005LP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN | - | 57000 | Dettagli |
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DMN2005LPK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN | - | 6000 | Dettagli |