DGD2012S8-13

IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
DGD2012S8-13 P1
DGD2012S8-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DGD2012S8-13

Numero di parte
DGD2012S8-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
PMIC - Gate driver
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Numero di parte DGD2012S8-13
Stato parte Active
Configurazione guidata Half-Bridge
Tipo di canale Independent
Numero di driver 2
Gate Type N-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura 10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V
Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello) 1.9A, 2.3A
Tipo di input Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) 200V
Rise / Fall Time (Typ) 40ns, 20ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO

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