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BOM

AONS21357

MOSFET P-CH 30V 8DFN 5X6
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › AONS21357
AONS21357 P1
AONS21357 P1
Le immagini sono solo di riferimento.
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AONS21357

Numero di parte
AONS21357
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 8DFN 5X6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- AONS21357 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte AONS21357
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2830pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 48W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN

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Immagine Numero di parte Produttori Descrizione PDF Disponibile vista
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