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| Numéro d'article | C3M0075120J-TR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 15V |
| Vgs (Max) | +15V, -4V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 113.6W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-263-7 |
| Paquet / cas | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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