VS-GB600AH120N

IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK
VS-GB600AH120N P1
VS-GB600AH120N P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GB600AH120N

Numéro d'article
VS-GB600AH120N
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- VS-GB600AH120N PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article VS-GB600AH120N
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 910A
Puissance - Max 3125W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 600A (Typ)
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 41nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Double INT-A-PAK (5)
Package de périphérique fournisseur Double INT-A-PAK

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