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| Numéro d'article | SQA442EJ-T1_GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 636pF @ 25V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 13.6W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paquet / cas | PowerPAK® SC-70-6 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SQA442EJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 | - | 287988 | Détails |